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第446章 硬气的林松(3/3)

“主要的问题在材料上面，在加入你这个磁场装置，超微型电路的精度差不多提升了一倍，所以这个成本估计没什么办法降下来，因为精度的提升，良品率也跟着下降，所以......”程俊玲说完问了句：“你现在在北京吗？” “不在，我现在在玉林产业园这边。

”刘林摇了摇头，最后开了个小玩笑道：“怎么？想请我吃饭？” “吃饭小事，反正最后不用我买单。

”程俊玲听到刘林已经不在北京了，无奈的道：“本来还想跟你探讨下呢，既然你不在北京，那就算了，一会我把改好的资料发你一份，你先看看，如果有问题等你看完我们再讨论。

” “好......” 刘林跟程俊玲双闲聊了几分钟，才把电话挂掉。

收到程俊玲收秋的加密文件包，刘林直接把资料移到电脑上，解密后打开。

刘林用了半个多小时，才把程俊玲修改后的技术资料，跟微型电路设计图看完。

程俊玲的采用薄膜激光工艺直接硅基片上制作电路元、器件及其接线，并加以封装而成。

薄膜激光包括蒸发、溅射、化学气相淀积等。

他的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。

并且集成度较高、尺寸较小。

但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。

薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。

与其他集成电路相比，它更适合于微型电路。

薄膜作为交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层，各种薄膜的作用不同，所以对它们的要求和使用的材料也不相同。

对导电薄膜的要求除了经济性能外，主要是导电率大。

这章没有结束，请点击下一页继续阅读！ 刘林看到详细解释，程俊玲不是跟传统的一样，以硅片为主材料。

因为材料的限制，所以必须采用多层结构，常用的是四层结构，铬-铜-铬-金（Cr-Cu-Cr-Au） 对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小。

程俊玲用了氧化硅（SiO）、氧化钽和它们的双层复合结构：-SiO和-SiO2。

...... 刘林把所有东西理顺之后，嘴角不由的抽了抽！ 打开相应的软件，慢慢修改了起来。

硅材料局限性太大，并不适合，HDAG刚好可以派上用场。

只要把磁性控制在1.0以内那就绝对没问题。

两小时后，刘林终放下手中的鼠标。

又检查了一次之后，确认没问题，便把包发给程俊玲。

就在刘林把资料发出不到五分钟，电话跟着追了过来。

“喂，书呆子，你资料上所说的1.0的超磁材料，存在吗？”电话一接通，程俊玲也不等刘林反应，急吼吼地道。

“就不能小声点，一惊一炸的！”刘林把手机举得远远的，刚才差点给程俊玲吼成了聋子，最后鄙视道：“我敢在资料上注明，自然有这样的材料。

” “我怎么没听过有这样的材料。

”程俊玲急道：“有这样的材料，我可以把性能再提升二倍一以上。

” “差不多就行了，目前来说已经够用了，再提升也没什么意义。

”刘林太阳穴不由的（突突...）的跳了两下，急忙劝道。

这程俊玲有时候就是人来疯，想到啥就来啥。

一点都不考虑后果的。

半小时之后，刘林把程俊玲劝住，挂掉电话，叹了口气，继续自己未完成的大业。

超磁计算中心的制造。

虽然汇换出来的是全套制造技术，但是还是有不少地方需要调整的。

CPU要等小米的芯片部门收购完成后，才能动，内存条可以直接在实验室制造，不过这中间要用到超导材料。

这个超导材料，让刘苛去趟冶炼工厂吧，刚好他们现在都在北京那边。

刘林把整理好的资料，发一份给刘苛，之后又打了个电话过去，等交代好，时间已经是下午六点多。

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