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没能通过考试呢?”周新在电话里反问道。
胡正明笑了笑:“只要你能够证明邮件是你本人写的。
那么我也会帮你搞定转校和奖学金的事情。
只是说你需要来伯克利把本科没有上完的课程补完。
” 作为半导体界教父级的人物,在伯克利呆了二十多年时间,想要帮学生搞定奖学金,用轻而易举来形容毫不夸张。
胡正明很欣赏周新,不仅仅是因为那封邮件,也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚,以及这口流利的英语。
甚至在一些语气词里都和他一样。
周新在阿美利肯期间,主要沟通对象之一就是胡正明,口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。
口语表达上二人当然会有相似之处。
周新在电话那头笑了笑:“好。
” “MOSFET模型可以将Em与所有器件参数和偏置电压相关联,描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途,你是如何想到通过电路仿真的预测性来对MOSFET进行互连建模?” 跨越数千公里的电话线,两头不仅仅是地理上的距离,更是时间上的距离。
周新发给胡正明的解答,是胡正明自己在2000年的论文,发表在2000年的IEEE集成电路会议论文集上,在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八。
虽然排名不是很高,但是却起到了承上启下的作用。
胡正明最大的贡献是,将半导体的2D结构,研发优化出了3D结构,也就是FinFET。
从1960年到2010年左右,基本的平面(2D)MOSFET结构一直保持不变,直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。
胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。
FinFET作为第一个3DMOSFET,将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。
好处是在更小的占地面积内获得更好的性能,就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。
FinFET也就是所谓的薄体(thin-body)MOSFET,这一概念继续指导新设备的开发。
它源于这样一种认识,即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。
FinFET牢记这种薄体概念。
该器件的主体是垂直的硅鳍片,被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖,在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。
FinFET将漏电流降低了几个数量级,并降低了晶体管工作电压。
它还指出了进一步改进的路径:进一步降低厚度。
而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏,因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制,这一概念,正是MOSFET进行互连建模在实验室进行复现后发现的。
周新不可能告诉胡正明,这是你自己发现的。
不过由于周新对于胡正明最重要的论文,都做过精读,对于当时是如何思考,有自己的分析。
这些分析和二十年后的老胡交流过程中,也获得了对方的认可。
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